9月20日，长鑫科技宣布其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。

产品规格上，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。LPDDR5X的需求量整体远高于LPDDR6，后者现在主要是少数几款旗舰机在用。

技术水平上，G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

三星当前最先进的DRAM节点为12纳米级，长鑫G5的11.95纳米已媲美三星量产水平。 关键在于，这一突破是在不依赖EUV光刻机的条件下，使用ArF浸没式DUV实现的。

除线宽微缩外，G5平台还通过变革工艺流程、采用新材料，将存储电容深宽比提升至45:1，并开发了适配DRAM工艺的高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，将核心功能区高度缩小至6762纳米。

存储密度因此实现跨越式提升。每片晶圆产出裸片数量较上一代平台提升至少50%，在产品能效和成本控制上均具备显著优势。

长鑫科技副总裁骆晓东表示，G5平台工艺水平已可比肩行业顶尖量产节点。

但需要指出的是，长鑫在公告中坦言，G5平台作为全新平台，良率爬坡仍需一定周期，基于该平台的产品尚未形成规模销售，短期内不会对经营业绩产生重大影响。

长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。创立于2016年，长鑫存储总部位于安徽合肥，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。